电子一般以无规则运动的状态存在于大自然中，因此电流在传输中会存在能量损耗的现象，而霍尔效应可以成功地约束电子的乱跑乱窜，将电子限制在一侧流动。然而，科学家研究发现，在一种特殊的、磁性掺杂的拓扑绝缘体中，即使不加外磁场也可以观测到霍尔效应，这种零磁场中的霍尔效应就是反常霍尔效应。

　　由中科院物理研究所和清华大学物理系组成的实验团队经过近4年的研究，利用分子束外延方法，生长出了高质量的Cr掺杂（Bi，Sb）2Te3拓扑绝缘体磁性薄膜，并在极低温输运测量装置上成功观测到了“量子反常霍尔效应”。美国《科学》杂志于2013年3月14日在线发表这一研究成果，引起国际物理学界巨大反响，著名物理学家、诺贝尔奖得主杨振宁称赞其是诺贝尔奖级的成绩。“量子反常霍尔效应”若应用到电子器件中，有望克服目前计算机发热耗能等带来的系列问题，为半导体工业带来又一次的革命，甚至使巨型银河计算机变得像iPad般便携。因此，它的发现或将带来下一次信息技术革命，我国科学家为国家争夺了这场信息革命中的战略制高点。